制造商产品编号:
BSD214SN L6327
Product Overview
制造商:
Infineon Technologies
零件编号:
BSD214SN L6327-DG
描述:
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
详细描述:
N-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-PO
库存:
12829220
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BSD214SN L6327 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Infineon Technologies
包装
-
系列
OptiMOS™
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
20 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
1.5A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.2V @ 3.7µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
0.8 nC @ 5 V
Vgs （最大值）
±12V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
143 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
500mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
PG-SOT363-PO
包装 / 外壳
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
BSD214SN L6327INDKR-DG
BSD214SNL6327INDKR
BSD214SN L6327-DG
BSD214SNL6327
BSD214SNL6327HTSA1
BSD214SNL6327INCT
BSD214SN L6327INTR-DG
BSD214SN L6327INDKR
SP000440882
BSD214SN L6327INCT-DG
BSD214SN L6327INTR
BSD214SN L6327INCT
BSD214SNL6327INTR
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
零件编号
BSD214SNH6327XTSA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
5980
部件编号
BSD214SNH6327XTSA1-DG
单价
0.07
替代类型
Parametric Equivalent
数字证书
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